Плазмохимическое осаждение в Москве

Плазмохимическое осаждение в Москве

Во время плазмохимического осаждения реакционный газ, который подает в камеру, диссоциируется в разряде, а образовавшиеся радикалы вступают в реакцию с поверхностью подложки и создают тонкопленочное покрытие. Ярко выраженной особенностью описываемого способа является низкая температура процесса (КТ-400 С°). Данный факт положительно отражается на скорости процесса.

Метод плазмохимического осаждения является функциональным и высококачественным с широким спектром выбора материалов и возможностей по получаемым свойствам пленки.

Для стимуляции процесса газофазного осаждения главными генераторами плазмы могут стать многопрофильные устройства, начиная от диодного ВЧ-разряда и до СВЧ устройств на ЭЦР (электронно-циклотронном резонансе). Первостепенная задача данных устройств – повышенная диссоциация рабочего газа в реакторе для снижения необходимого расхода рабочего газа при высоких скоростях осаждения. Кроме того, плазменная стимуляция способствует снижению рабочего давления в реакторной камере.

Снижение рабочей температуры процесса вплоть до комнатной и возможности использовать другой газовый состав, например азот вместо аммиака при осаждении нитрида кремния, что весьма положительно сказывается на живучести систем газонапуска и откачных средств.

При этом устройства для плазменной стимуляции обязаны обеспечивать равномерность нанесения слоев, что бывает трудновыполнимо из-за некоторых факторов, которые могут изменять локальную скорость осаждения тонких слоев на пластинах большого размера.

Важным фактором влияния на равномерность наносимого покрытия является однородность концентрации плазмы над поверхностью используемой подложки.