Магнетронное напыление (распыление) в Москве
Компания Дана Инжиниринг разрабатывает и производит установки магнетронного нанесения покрытий. Метод магнетронного нанесения покрытий в вакууме известен десятки лет, однако в настоящее время в связи с небывалым ростом промышленности спрос на данный вид систем вакуумного напыления возрос многократно. В нашей организации разрабатываются вакуумные установки для нанесения покрытий различных свойств по требованиям заказчика.
Магнетронное распыление в Москве производит компания ООО «Дана Инжиниринг». Данный метод подразумевает нанесение пленок в вакууме и появился десятки лет назад. Сегодня спрос на реактивное магнетронное распыление стремительно возрастает, так как промышленность быстро развивается. У нас вы можете заказать установки с нужными вам параметрами по доступной цене.
Магнетронный метод напыления на подложку – это создание тонкой пленки с помощью диодного разряда. Магнитные потоки направляются поперек току. При этом поля должны быть скрещенными. Используемые для этого агрегаты называют системами распыления.
Открыто магнетронное напыление еще в 1898 г. Тогда британский ученый Филлипс заметил разряды в форме кольца вокруг электродов в форме стержней, расположенных в колбе. Эта реакция произошла при пониженном давлении магнитного поля. Позже Струтт предположил, что так создается радиальное поле, обернул электроды анодом и получил разряд с хорошей устойчивостью.
Особенности распыления
Установка магнетронного напыления как технологический процесс кроется в том, что ионы являются основой для распыления мишени. Это точка травления. Когда состав оседает на подложку, образуется устойчивая прочная пленка. Магнетронные разряды аномально тлеют. Из-за ионной активности электроны отлетают от катода.
Коэффициент получается низким, поэтому ток ионов больше электронного. Чтобы поддержать баланс элементов, необходимо ионизировать атомы газа. Это проходит в катодном блоке. Магнетронное напыление принцип работы: при сильном поле магнита электроны попадают на катод практически без энергии и будут двигаться с большей скоростью по электрическому полю.
Тогда электрон двигается перпендикулярно к полям, пока не потеряет силу. Чтобы создать распыление, создаются ловушки для ионизации. Тогда получается плотный ионный ток и быстрота распыления.
Распыление магнетронной мишени
Метод магнетронного распыления - импульс переходит объекту, когда сталкиваются ионы с мишенью. В то же время ионы падают, сталкиваются между собой, импульс передается поверхностному атому, отходит от мишени и попадает непосредственно на подложку. Число атомов, которые выбиваются ионом, определяют эффективность распыления.
Скорость электронного напыления зависит от угла движения, энергии иона, веса испаряемого вещества, энергии атомной связи. В некоторых случаях и от размещения решетки из кристаллов, если она есть. Когда состав опускается на подложку, образуется пленка. Так происходит процесс магнетронного распыления. Но некоторые частички могут рассеиваться в остатке на газ и осесть на стенках аппарата.
Напыление металлов и сплавов
Принцип действия магнетронного распыления - все происходит в инертной газовой среде. Например, магнетронное напыление титана чаще происходит в аргоне. То же относится и к магнетронному напылению серебра. Но не придется делить на фракции мишени тяжелых сплавов. Так выполняется магнетронное распыление меди.
Реактивное напыление
Реактивное магнетронное напыление предназначено для оксидов, нитритов и др. Аргон соединяется с реактивным газом. В плазменной части разряда он диссоциируется, радикалы высвобождаются и вступают в реакцию с атомами. Те в свою очередь образуют соединение и попадают на подложку.
Принцип действия магнетронного распыления тонких пленок
Магнетронное распыление пленок представляет собой особую технологию нанесения пленки при помощи распыления мишени в пересекающихся полях. Над катодом создается плазма в форме кольца, после чего сталкиваются молекулы аргона и электроны. Источником распыляемого вещества является мишень. В этом и заключается принцип действия установки магнетронного распыления. Для большей эффективности мишень для магнетронного распыления размещают на магните.
Преимущества магнетронного распыления
Популярность магнетронного напыления объясняется преимуществами:
- равномерное покрытие, практически без пористости, с хорошей адгезией;
- возможность обработки больших участков;
- простое нанесение сложных составов;
- подложки с низкой температурой;
- недорогой способ осаждения;
- отличная управляемость процессом;
- возможность работы с несколькими покрытиями одновременно.
Применение магнетронной системы распыления оптика:
- отражающие и проводящие покрытия;
- электроника: диэлектрики, полупроводники, металлы;
- легкая промышленность: металлизированные материалы;
- машиностроение: покрытия с улучшенными свойствами.
Как заказать установку вакуумного магнетронного напыления в ООО «Дана Инжиниринг»
Наша компания производит магнетронное распыление в вакууме в Москве. Продукция сертифицирована и отличается высоким качеством. Чтобы купить установку магнетронного напыления, звоните нам по телефону 8(800)222-90-33; или оставляйте заявку на сайте. Менеджеры предоставят всю необходимую информацию.
Объём и форма вакуумных камер данного вида напылительных систем могут быть различными. Форма камеры как классическая цилиндрическая или D-образная, так и многогранная с несколькими дверями. Технологические устройства имеют размеры от нескольких десятков до нескольких сотен миллиметров. Нанесение покрытий может проводиться с ионным ассистированием.
Магнетроны могут быть снабжены гониометрическими механизмами с сервоприводами для равномерного напыления изделий сложной формы.
Вас так же могут заинтересовать и другие методы и установки напыления тонких пленок:
Вакуумное оборудование с использованием данной технологии:
ОСТАЛИСЬ ВОПРОСЫ ИЛИ НУЖНА КОНСУЛЬТАЦИЯ?
Оставьте свой вопрос или позвоните нам по телефону, и мы с удовольствием проконсультируем Вас.
